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Si4561DY
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
12
6
V GS = 10 thr u 4 V
3 V
5
4
3
2
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
0.050
0.044
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.03 8
V GS = 4.5 V
1500
0.032
0.026
0.020
V GS = 10 V
1000
500
0
C oss
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 10 V
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
6
V DS = 20 V
1.4
V DS = 30 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
8
16
24
32
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
8
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 69730
S09-0220-Rev. C, 09-Feb-09
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